= Performance and limitations of a Hydrogenated amorphous silicon sensor deposited on integrated circuit for particle detection

• Auteur / Autrice : Matthieu Despeisse
• Direction : Christian Gontrand
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Micro-électronique
• Date : Soutenance en 2006
• Etablissement(s) : Lyon, INSA
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Effets des rayonnements

Circuits intégrés

Capteurs (technologie)

Silicium

Résumé

Résumé étendu en français

Pour les futures expériences de physique des hautes énergies au laboratoire européen de physique des particules (CERN), des technologies de détection alternatives aux détecteurs silicium actuels seront nécessaires. Le travail effectué dans cette thèse présente les performances et les limitations d'une nouvelle technologie de détection. Celle-ci est basée sur la déposition d'un capteur en silicium amorphe hydrogéné directement sur circuit intégré, présentant ainsi un haut degré d'intégration. Le travail présenté comprend l'optimisation et le développement de circuits intégrés pour la caractérisation de cette technologie dite '' Thin-Film on ASIC ''. L'interface entre le capteur déposé et le circuit intégré a été caractérisée pour comprendre en détail la méthode de segmentation du détecteur. L'induction d'un signal par le passage d'une particule chargée ou d'un rayonnement au travers du capteur a été démontrée et étudiée. La vitesse et l'amplitude du signal induit, ainsi que la résistance à de hauts niveaux de radiations ont été particulièrement appréciées. Le travail présenté démontre la faisabilité du concept de détection proposé et d'intéressantes propriétés de cette technologie pour diverses applications de détection, mais révèlent cependant différentes limitations pour d'éventuelles applications pour la physique des particules.