Transistors en couches minces (TFT) pour les radiofréquences

Thin Film Transistors for radiofrequency applications

• Auteur / Autrice : Jean-Louis Botrel
• Direction : Jalal Jomaah, Olivier Savry
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Micro et nanoélectronique
• Date : Soutenance en 2006
• Etablissement(s) : Grenoble INPG

Mots clés

Mots clés contrôlés

Systèmes d'identification par radiofréquence

Silicium cristallisé

Transistors en couches minces

Mots clés libres

Modélisation ATLAS

Modélisation SPICE

Mesures de paramètres S

Résumé

Aprés une première partie introductive dans laquelle sont exposés les différents systèmes utilisant des transistors en couches minces (en particulier les écrans plats et les systèmes RFlD), nous décrivons dans une deuxième partie le fonctionnement de cette catégorie de dispositifs dans un cadre générale, sans présumé des matériaux employés pour la réalisation des dispositifs. Nous décrivons en particuliers des techniques d'extraction de la densité d'états, des outils de simulation numérique ainsi que des modèles de type SPlCE. Le troisième chapitre est consacré spécifiquement aux dispositifs basés sur une couche mince polysilicium; des résultats de simulation ainsi que des travaux expérimentaux basés sur les paramètres de scattering sont exposés. Le quatrième chapitre est dédié aux transistors organiques; des simulations à deux dimensions et des mesures ont été conduites pour des dispositifs dont la couche semiconductrice est réalisée en poly3-(hexylthiophene).

This PhD dissertation presents a work on Thin Film Transistors for Radiofrequency applications. Ln a first chapter the various applications of Thin Film Transistors: from displays to RFlD systems are presented. Ln the second chapter, some theoretical considerations about the working of Thin Film Transistors are formulated. This general frameworks is useful in order to present tools su ch as two dimensional simulations, SPlCE modeling, density of states extraction techniques; which were used for the study of our devices. Ln a third chapter, the results about polysilicon thin film transistors are exposed. The fourth is dedicated to organic thin film transistors and in particular poly3-(hexylthiophene) devices. Finally, some comparisons between the two kinds of devices are made and the conclusions are drawn.