Caractérisation électrique de transistors MOS à grille enrobante pour les technologies CMOS sub-45nm
Auteur / Autrice : | Antoine Cros |
Direction : | Gérard Ghibaudo, Hugues Brut |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Micro et nanoélectronique |
Date : | Soutenance en 2006 |
Etablissement(s) : | Grenoble INPG |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Les transistors à grilles multiples sur film mince, et parmi eux le transistor à grille enrobante, permettent de réduire les dimensions des transistors MOS en dessous du nœud technologique 45nm, grâce à leur sensibilité plus faible que les transistors sur substrat massif aux effets de canaux courts. Cette thèse a pour but l'étude et le développement des méthodes caractérisation et d'extraction des paramètres électriques, appliquée à l'amélioration technologique de ce dispositif. En particulier, nous étudions la dépendance des paramètres technologiques et dimensionnels du transistor aux effets de canaux courts, aux fluctuations et à l'auto-échauffement. Nous observons également une chute de la mobilité sur les transistors à faible longueur de grille, attribuée à des défauts neutres. Enfin, nous analysons les composantes de la résistance d'accès grâce à une modélisation analytique et une technique d'extraction de la résistance d'accès en fonction de la tension de grille originale.