Thèse soutenue

Croissance et caractérisation d'oxydes minces photogénérés electrochimiquement sur n-InP

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Auteur / Autrice : Ngoc Chang Quach-Vu
Direction : Arnaud Etcheberry
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électrochimie
Date : Soutenance en 2005
Etablissement(s) : Versailles-St Quentin en Yvelines

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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Le comportement électrochimique, en oxydation, d'un semiconducteur III-V n-InP, a été étudié au contact de deux solutions aqueuses à 2 pH pour lesquels la solubilité des produits de corrosion issus de la photo-oxydation est totalement différente. Ce travail s'est articulé autour de 2 axes, l'un concernant le procédé de fabrication d'un film d'oxyde sur InP, et le second concernant la caractérisation aussi bien in situ que ex situ de cet oxyde. Les études ont montré la formation rapide d'une couche homogène très mince (de l'ordre de quelques nm) et peu poreuse présentant de bonnes propriétés chimiques et électriques passivantes au potentiel imposé. Le système électrique constitué par l'interface InP/oxyde devient bloquant au bout de quelques sec. , et son blocage est tel qu'il peut jouer le rôle de barrière électrique au transfert d'e- de la BC et au transfert de h+ de la BV. L'étude conjointe des mesures de capacité, des photocourants transitoires et de sa régénération a été réalisée, et ont mis en évidence pour n-InP, trois étapes dans la formation et la croissance de l'oxyde photogénéré. L'analyse des transitoires de photocourant peut être considérée comme un outil d'information in situ sur la qualité des oxydes non transformés sur InP (recouvrement, porosité, stabilité chimique. . . ).