Thèse soutenue

Synthèse assistée par faisceau d'ions d'agrégats dans les verres (argent et chalcogénures de plomb

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Auteur / Autrice : Roch Espiau de Lamaëstre
Direction : Harry Bernas
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique des solides
Date : Soutenance en 2005
Etablissement(s) : Paris 11
Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Mots clés

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Résumé

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Ce travail présente une étude de l'intérêt des faisceaux d'ions pour contrôler la croissance d'agrégats dans les verres. Nous présentons deux manières différentes d'atteindre cet objectif en insistant sur l'importance des phénomènes d'oxydoréduction induits par le passage et l'implantation d'ions dans un verre. Nous montrons que l'on peut utiliser la grande densité d'énergie déposée par des ions pour induire des conditions réductrices favorables à la précipitation d'agrégats métalliques. En particulier, les mécanismes microscopiques de précipitation d'agrégats de Ag sont analogues à ceux de la photographie classique. On peut aussi se servir des faisceaux d'ions pour dépasser la sursaturation d'un élément dans une matrice donnée. Dans ce travail, nous avons étudié la croissance d'agrégats de chalcogènures de plomb (PbS, PbSe, PbTe), dont les propriétés optiques sont intéressantes pour les télécommunications. Nous mettons en évidence les effets de la chimie redox complexe des chalcogènes, et leur lien avec la perte de contrôle de la croissance d'agrégats synthétisés après implantation séquentielle de Pb et S. Grâce à cette compréhension, nous démontrons une nouvelle synthèse plus contrôlée d'agrégats de PbS, consistant, avant recuit, à implanter du soufre dans des verres au Pb. Le choix de la composition du verre permet de mieux contrôler la physico-chimie de la croissance, et l'utilisation de l'implantation pour introduire le S permet d'atteindre des fractions volumiques importantes. L'étude des propriétés d'émission de ces agrégats dans l'IR montre (i) une section efficace d'excitation très importante (ii) l'existence d'un niveau d'exciton noir.