Modélisation des couplages électro-thermo-fluidiques des composants en boîtier press-pack : application à l'Integrated Gate Commutated Thyristor 4,5kV-4kA

Press-pack components eletro-thermo-fluidic modeling : application to the Integrated Gate Commutated Thyristor 4,5kV-4kA

• Auteur / Autrice : Hervé Feral
• Direction : Philippe Ladoux
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Génie électrique
• Date : Soutenance en 2005
• Etablissement(s) : Toulouse, INPT

Mots clés

Mots clés contrôlés

Thermométrie

Fours à arc

Mots clés libres

Profil de mission

Modélisation thermique

Contact thermique

Résumé

La température est un paramètre fondamental pour la bonne utilisation des composants semi-conducteurs. Dans les convertisseurs statiques utilisés dans la gamme de MW, les puissances dissipées dans les semi-conducteurs sont de l'ordre du kW. Une analyse thermique de l'assemblage semi-conducteur/dissipateur est donc indispensable pour comprendre les phénomènes et les limitations entrant en jeu dans le fonctionnement. Il faut notamment être capable de déterminer la température maximale de fonctionnement (jusqu'à 150°C admissible pour le silicium) et d'étudier les ondulations de température qui influent directement sur la durée de vie du composant.

Temperature is an important parameter when you use semi-conductors. In the multi MW power converters the semiconductor losses are upper than kW. The thermal analyzes of the semiconductor package and cooling system must be performed to understand the thermal limitations. The maximal temperature can not be upper than 150°C for silicium components. The temperature variations have an impact on the component life time.