Thèse soutenue

Nouveaux schémas d'intégration pour les interconnexions cuivre inférieures à 90 nm : apport des dépôts chimiques : dépôt de cuivre par CVD comme couche d'accroche : dépôt de NiMo-P par voie chimique autocatalytique comme couche d'encapsulation

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Mickaël Joulaud
Direction : Pascal Doppelt
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physico-chimie des matériaux. Microélectronique
Date : Soutenance en 2004
Etablissement(s) : Paris 12

Mots clés

FR

Mots clés contrôlés

Mots clés libres

Résumé

FR  |  
EN

Des problèmes liés à l'intégration du cuivre sont attendus pour les interconnexions inférieures à 90 nm comme la conformité et la continuité de la couche d'accroche de cuivre ou encore la formation de cavités par électromigration à l'interface cuivre/barrière d'encapsulation. Cette thèse porte sur le développement de procédés de dépôts chimiques afin de résoudre ces problématiques. La faisabilité du dépôt industriel de couche d'accroche par CVD à partir de (hfac)Cu(MHY) a été démontrée. L'optimisation des conditions a permis d'obtenir un film continu et conforme de 50 ru-n d'épaisseur dans des interconnexions étroites. Un procédé de dépôt sélectif par voie chimique autocatalytique de NiMo-P comme couche d'encapsulation a été développé et transféré sur un équipement industriel. L'influence des paramètres réactionnels et la qualité de barrière à la diffusion du cuivre ont été établies. Un dépôt sélectif de NiMo-P a été obtenu avec un bain sans alcalin sur des motifs d'espacement 0,12 micron.