Étude numérique et expérimentale des mécanismes de dégradation dans les structures de silice épaisses à faible débit de dose

• Auteur / Autrice : Christophe Chanterault
• Direction : Jean-Pierre David
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique spatiale
• Date : Soutenance en 2004
• Etablissement(s) : Toulouse, ENSAE

Mots clés

Mots clés contrôlés

Simulation, Méthodes de

Modèles mathématiques

Composants électroniques

Environnement spatial

Mots clés libres

Dose cumulée

Débit de dose

Eldrs

Résumé

Lors des missions spatiales, les composants électroniques sont soumis à l'influence du rayonnement ionisant présent en environnement spatial. Un modèle numérique de dégradation de la silice est développé. Il décrit la génération, le transport, le piégeage et la recombinaison des charges dans le volume, ainsi que le piégeage et la guérison à l'interface SiO₂/Si tout en s’attachant à prendre en compte de manière assez fine les effets du champ électrique. Après calage sur des données expérimentales, ce modèle a permit de mettre en évidence un phénomène encore mal expliqué : la sensibilité accrue de certains composants aux faibles débits de dose. Celle-ci est reliée au champ électrique et à la densité de piéges profonds à trous présents dans l’oxyde. Ce modèle est une contribution à la compréhension des interactions entre les différents mécanismes intervenant dans la dégradation des composants actuels, qui possèdent des oxydes épais de passivation ou d’isolation.