Homoépitaxie du Sic-4H à partir de différents précurseurs : réalisation du dopage p.

• Auteur / Autrice : Corinne Sartel
• Direction : Yves Monteil
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique appliquée
• Date : Soutenance en 2003
• Etablissement(s) : Lyon 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microscopie

Photoluminescence

Aluminium

Silane

Résumé

Grâce à ses propriétés intrinsèques, le carbure de silicium permet de réaliser des dispositifs pour la microélectronique de puissance pouvant fonctionner en milieux hostiles qu'il est impossible d'obtenir à partir de la filière silicium. Nous avons réalisé des couches de SiC de bonne qualité, d'épaisseur et de dopage bien contrôlés. Les précurseurs employés pour l'homoépitaxie du SiC-4H par CVD sont le mélange classique silane/propane et pour la première fois le mélange hexaméthyldisilane/propane. Différents paramètres de croissance influençant la morphologie de surface des couches épitaxiées, leurs propriétés optiques et électriques ont été étudiées. La comparaison des deux systèmes de précurseurs montre que l'hexamethyldisilane est un bon candidat pour remplacer le silane. Enfin nous avons étudié l'incorporation de l'aluminium dans les couches élaborées, à partir du triméthylaluminium avec les deux systèmes de précurseurs afin de maîtriser le dopage p du carbure de silicium