Hydrogénation et irradiation électronique d'hétérostructures III-V : utilisations possibles en microélectronique et optoélectronique

Hydrogenation and electronic exposure of III-V heterostructure : a possible way to fabricate microelectronic and optoelectronic components

• Auteur / Autrice : Ludovic Georges Kurowski
• Direction : Didier Decoster, Dorothée Loridant-Bernard
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Micro-ondes et Micro-technologies
• Date : Soutenance en 2003
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Diodes électroluminescentes

Hétérostructures

Faisceaux électroniques

Nanotechnologie

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Hydrogénation

Mots clés libres

Transpoort balistique (électronique)

Écriture électronique directe

Résumé

Des études menées depuis une vingtaine d'années ont mis en évidence les effets induits par l'introduction d'hydrogène dans le GaAs de type n dopé Si. En effet, il a été clairement établi que l'hydrogène atomique présent dans ce matériau induisait la passivation de ses atomes donneurs par la formation de complexes neutres; ce qui explique la chute de la densité de porteurs libres en son sein. De plus, il a été également établi que cette passivation est réversible, soit par recuit thermique, soit par irradiation lumineuse, mais aussi par exposition à un faisceau d'électrons. Ces phénomènes nous ont permis d'imaginer une technologie novatrice pour la réalisation de composants submicroniques. Ce travail a donc visé à mettre au point et à démontrer la possibilité de réaliser des composants électroniques et optoélectroniques par écriture directe de zones conductrices à l'aide d'un masqueur électronique sur structure épitaxiale à base de GaAs hydrogéné.