Thèse soutenue

Etude de la faisabilité de composants de puissance sur substrat en carbure de silicium sur isolant (SiCOI)
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Auteur / Autrice : Nicolas Daval
Direction : Jean-Pierre Chante
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Dispositifs de l'Electronique Intégrée
Date : Soutenance en 2002
Etablissement(s) : Lyon, INSA
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : CEGELY - Centre de génie électrique de Lyon (Rhône)

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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Le substrat SiCOI est à la fois un substrat bas-coût, dans un contexte d'approvisionnement difficile de substrats SiC massifs, et d'autre part ses propriétés en font un substrat de choix dans le secteur de l'intégration monolithique de systèmes de puissance. Nous avons réalisé la démonstration de la faisabilité de composants de puissance. Nous avons réalisé la démonstration de la faisabilité de composants de puissance sur ce substrat par la fabrication de diodes Schottky et le MESFET. Nous avons étudié les possibilités qu'offrait ce substrat avec et sans réépitaxie. Ce travail a permis la mise au point d'une technique innovante de prise de contact Schottky en pente, adaptée aux composants latéraux sur SiCOI. D'autre part nous avons également mis en évidence l'intérêt de la possibilité d'utiliser les techniques RESURF (Reduce SURface Field) sur ce substrat. Nous concluons sur le réel intérêt de mettre au point un interrupteur de puissance sur ce substrat pour concrétiser son utilisation prometteuse dans des applications de systèmes de puissance sur une puce.