Etude de dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) à structure multicouche nitrure d'aluminium diamant : croissance de matériaux en couches minces et technologie de réalisation

• Auteur / Autrice : Mohamed Badreddine Assouar
• Direction : Patrick Alnot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Plasma. Optique. Electronique
• Date : Soutenance en 2001
• Etablissement(s) : Nancy 1
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Surfaces (technologie)

Photolithographie

Matériaux -- Propriétés électriques

Diamant -- Couches minces

Nitrure d'aluminium

Dispositifs à ondes acoustiques de surface

Mots clés libres

Saw

Nitrure d'aluminium

Diamant

Couches minces

Pulvérisation réactive magnétron

Plasma

Micro-dispositifs

Caractérisations physico-chimique de surface

Résumé

Ce travail a pour thème l'étude de dispositifs SAW à structure multicouche, à savoir, le dépôt de couches minces d'AlN et de diamant et le développement de procédés technologiques nécessaires pour la réalisation de ces dispositifs. Concernant les procédés technologiques, nous avons développé des outils nécessaires pour la réalisation des dispositifs SAW en optimisant les paramètres expérimentaux relatifs à ces procédés. Concernant la croissance de films diamant réalisée par MPACVD, nous avons pu optimiser ce dépôt afin d'obtenir des films présentant les propriétés requises pour les dispositifs SAW. Concernant le dépôt de couches d'AlN réalisé par pulvérisation réactive magnétron, nous avons étudié la croissance afin d'obtenir des couches piézoélectriques orientées (002). Nous avons réalisé des dispositifs à base des structures AlN/Si, AlN/saphir et AlN/diamant, et on a pu montrer l'influence du substrat de la structure multicouche sur de la vitesse des ondes acoustiques de surface.

The aims of this work were to study the layered structure SAW devices AlN/diamond and the deposition of AlN and diamond films. Also, this work consist to develop a technologic process necessaries to realise SAW devices. Concerning the technologic process, we have developed a necessaries tools to accomplish a SAW devices by optimisation the experimental parameters relatives of these process. Concerning the growth of diamond films by MPACVD method, we have studied and optimised this deposition in order to obtain diamond films with required properties to utilise it in layered structure SAW devices. Concerning AlN thin films realised by reactive magnetron sputtering, we have studied and optimised the deposition to obtain a piezoelectric films oriented c-axis perpendicular to the surface. We have realised a layered structures SAW devices based on AlN/Si, AlN/saphir and AlN/diamond, and we have show the influence of substrate of layered structure on propagation velocity of SAW.