Thèse soutenue

Etude physique des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés dans une technologie BiCMOS 0,35 µm

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Auteur / Autrice : Frédérique Chaudier
Direction : Mireille Mouis
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Dispositifs de l'’électronique intégrée
Date : Soutenance en 2001
Etablissement(s) : Lyon, INSA
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LPCI - Laboratoire de Physico-Chimie Industrielle (Lyon, INSA)

Résumé

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Le travail présenté dans ce manuscrit concerne l'étude physique des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés dans une technologie BiCMOS 0,35µm. Cette thèse étudie l'impact sur les performances du transistor du déplacement de la jonction émetteur-base (EB) et de la jonction base-collecteur (BC) par rapport au profil de Ge de la base SiGe. Nous avons réalisé à ce sujet plusieurs études numériques qui nous ont permis de montrer que l'impact de l'exodiffusion du bore à la jonction BC peut être dépendant de la position de jonction EB. Une étude expérimentale réalisée sur des transistors bipolaires fabriqués par GRESSI (CNET-CEA-ST Microelectronics) a permis de mettre en évidence le déplacement des jonctions EB et BC sous l'effet des phénomènes de diffusion accélérée du bore. Ces phénomènes sont en partie liés à l'implantation ionique locale du collecteur (SIC). Cette étude expérimentale nous a également permis d'étudier le fonctionnement des transistors de petites et de grandes dimensions. Il apparaît d'après cette étude que le courant collecteur des transistors de petites dimensions peut être amélioré sous certaines conditions.