Quelques aspects de la formation de films minces de nitrure de bore cubique obtenus par depot physique en phase vapeur assiste par faisceau d'ions

• Auteur / Autrice : ERIC GUIOT
• Direction : Guy Gautherin
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 2000
• Etablissement(s) : Paris, ENSAM

Résumé

Ce travail est consacre a l'etude de la phase cubique du nitrure de bore, deposee en couches minces sur des substrats de silicium par methode pdd-ibad a une temperature de depot faible (200-250\) et proche de la temperature limite de germination du cbn. Dans un premier temps nous avons pu determiner les conditions de synthese de la phase cubique du nitrure de bore et egalement effectuer la caracterisation des films obtenus. Par ce biais nous pouvons comparer la qualite des films synthetises a basse et haute temperature. Cette etude est completee par l'observation des facteurs responsables de la transition de phase hbn/cbn, a propos desquels des opinions divergentes ont ete recueillies dans la litterature. Enfin, dans un dernier temps, nous avons tente d'apporter des solutions a l'obstacle principal a l'industrialisation des films de cbn, qui est la mauvaise qualite de l'adherence des couches sur le substrat. Pour ce faire, nous avons joue sur les parametres de depot en differenciant les conditions de germination et de croissance du nitrure de bore cubique.