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des thèses françaises
Michael Schröter
IdRefMots clés
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Silicium-germanium (SiGe)
Transistors bipolaires à hétérojonction (HBT)
Modélisation compacte
Technologie de conception assistée par ordinateur (TCAO)
Calibrage TCAO
Prédiction de performance
Technologie future
Extraction des paramètres scalables
Bipolaires avec des dispositifs complémentaires métal/oxyde/semi-conducteur (BiCMOS)
Transport hydrodynamique
Equation de transport de Boltzmann (BTE)
Haute-vitesse
Moyenne-tension
Haute-tension
Simulations unidimensionnelle (1D)
Modèles physiques
High current model (HICUM)
International technology roadmap for semiconductors (ITRS)
Résistances externes
Réseau de substrat