Etude physique des non-linearites dans les transistors mos radiofrequences

• Auteur / Autrice : PHILIPPE KOUAKOU
• Direction : Pierre Rossel
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences et techniques
• Date : Soutenance en 1999
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Résumé

Ce memoire traite de la modelisation du transistor ldmos de puissance dedie aux applications d'amplification radiofrequence. La gamme de frequences visee se situe entre 1,8 et 2,2 ghz pour des puissances de sortie de l'ordre de la dizaine de watts. Dans une premiere partie, nous presentons les particularites du transistor ldmos de puissance par rapport aux autres structures mos radiofrequences. Nous etudions les mecanismes physiques qui interviennent dans les differentes zones du composant et qui regissent son fonctionnement. Sur la base de cette etude, nous developpons la demarche adoptee pour etablir le modele. Elle s'appuie sur une caracterisation experimentale du composant permettant d'extraire les principaux elements non-lineaires du circuit electrique equivalent. Le modele est decrit en langage hdl-a et integre des parametres lies a la technologie du ldmos. Une premiere comparaison entre la simulation et l'experience des caracteristiques est effectuee en regime statique et en regime dynamique petit signal. La derniere partie est consacree a la validation exhaustive du modele en regime d'amplification fort signal, a travers l'evaluation des performances en puissance du composant : gain en puissance, rendement en puissance ajoute et distorsion d'intermodulation d'ordre trois. Enfin, nous etudions l'influence de certains parametres technologiques sur ses performances en gain et en distorsion d'intermodulation d'ordre trois.