Conception d'amplificateurs de puissance large bande uhf a base de mesfet en carbure de silicium. Comparaison des performances avec la technologie si - ldmos

Wide band uhf power amplifiers design using silicon carbide mesfet. Comparison with si - ldmos technology

• Auteur / Autrice : JEAN-FRANCOIS BROCH
• Direction : Pierre Pouvil
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1998
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

L'objet de cette these est d'evaluer les potentialites en amplification de puissance des transistors a effet de champ en carbure de silicium (sic). La caracterisation des transistors mesfet en carbure de silicium de thomson - lcr confirme les performances interessantes publiees dans la litterature. Elle demontre pour le sic : une densite de puissance elevee et des impedences qui facilitent l'adaptation. Le developpement d'une methodologie s'inspirant des techniques de mesures existantes (load-pull) et des travaux theoriques sur la conception de circuits d'adaptation (methode analytique), a permis la realisation d'amplificateurs si et sic large bande en classe a. Les mesures realisees sur ces amplificateurs ont montre les performances interessantes du sic pour l'amplification large bande de puissance : une puissance de 10 w et un gain de 13 db sur la bande uhf. Elles montrent aussi une grande marge d'evolution comparee au silicium.