Contribution au développement de détecteurs photovoltai͏̈ques à base de séléniure de plomb par EJM

Contribution of infrared device expansion with pbse material using molecular beam epitaxy growth technique

• Auteur / Autrice : Corinne Gautier
• Direction : Salam Charar
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Milieux denses et matériaux
• Date : Soutenance en 1998
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Analyse électrochimique

Sulfures métalliques

Oxydation

Photodégradation

Passivité (chimie)

Épitaxie par faisceaux moléculaires

Couches minces métalliques

Sélénium

Propriétés électriques

Couches minces

Plomb

Hétérostructures

Effet photovoltaïque

Capteurs optiques

Résumé

La premiere partie de ce manuscrit correspond a la realisation de l'heterostructure p-pbse / caf#2 // si (111) par epitaxie par jets moleculaires. Quelques rappels concernant la technique d'epitaxie, les caracterisations associees ainsi que les proprietes des materiaux etudies sont tout d'abord presentes. Ensuite, les differentes analyses montrent que les premieres etapes sont correctement maitrisees. Les proprietes structurales de la couche de pbse ont pu etre optimisees mais le controle des caracteristiques electriques, en dopant le materiau de type p par ecart a la stchiometrie, presente des difficultes. De plus, les analyses de surface montrent que la couche de pbse s'oxyde lorsqu'elle est exposee a l'air. La seconde partie concerne la passivation de surface des couches de pbse. Tout d'abord, l'etude bibliographique met en evidence les avantages des methodes de sulfuration par voies chimique et electrochimique. L'application de ces techniques sur les couches de pbse est alors etudiee et montre la substitution, a la surface, du selenium par le soufre. De plus, une desoxydation prealable est necessaire, qui est facilement realisee par voie chimique. Un effort est porte sur la comprehension des phenomenes observes a la surface de la couche de pbse.