Thèse soutenue

Effet du substrat et des conditions de dépôt sur l'orientation et la structure des films de sexithiophène

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Auteur / Autrice : Mohamed Ardhaoui
Direction : Francis Garnier
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physicochimie des surfaces et interfaces
Date : Soutenance en 1998
Etablissement(s) : Université de Marne-la-Vallée (1991-2019)

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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Les processus electro-optique comme le transport de charge dans les semi-conducteurs organiques conjugues depend largement de leur orientation et de leur organisation structurale. Notre objectif dans ce travail est de controler l'orientation et la structure de films du sexithiophene (6t) a partir du choix de substrats comme le quartz, la silice, le sih/si(111), le graphite (hopg), l'argent et l'or afin d'ameliorer le transport de charge a travers ces films. Les substrats neutres tel que le quartz, la silice conduisent a des molecules orientees perpendiculairement a la surface avec une structure voisine de celle du monocristal (forme obtenue a basse temperature (bt)). Une orientation des molecules parallele a la surface peut etre realisee par utilisation de substrats ayant une forte interaction avec les orbitales electroniques des molecules du 6t ou avec le soufre. Les vitesses d'evaporation rapides du 6t favorisent l'orientation des molecules parallele a la surface pour au, ag et sih/si(111). Pour le graphite, l'interaction est suffisamment forte, que l'orientation parallele sont obtenue meme a vitesse lente. L'interaction forte, film/substrat, peut egalement conduire a des nouvelles varietes cristallines des films. Par exemple, les substrats hopg et sih/si(111) conduisent a des formes structurales du 6t, qui n'ont pu etre assimilees ni a la structure du 6t obtenue a bt ni a celle obtenue a haute temperature. La forme des spectres d'absorption uv-visibles et ellipsometriques suggerent en fait un decalage des molecules entre elles suivant l'axe l donnant ainsi naissance a des interactions de type tete a queue ou de type agregat j