Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction : application à la conception non linéaire d'amplificateurs de puissance optimisés en température

Distributed electrothermal model of heterojunction bipolar transistor : application to the non linear design of temperature optimized power amplifiers

• Auteur / Autrice : Marie Anne Pérez
• Direction : Raymond Quéré
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique des hautes fréquences et optoélectronique. Télécommunications
• Date : Soutenance en 1998
• Etablissement(s) : Limoges
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors bipolaires

Amplificateurs de puissance

Transistors à jonctions

Résumé

Ce travail constitue une nouvelle approche sur la modelisation de transistors bipolaires a heterojonction et son utilisation pour la conception non lineaire d'amplificateurs de puissance a haut rendement. Un recapitulatif de la technique de modelisation de tbh developpee a l'ircom est expose. La nouvelle approche concerne la distribution thermique du modele et sa validation en petit signal. Cette distribution thermique nous a permis d'etudier le phenomene de crunch present dans les tbh multidoigts. Nous avons pu simuler les consequences du crunch en comportement statique et dynamique. Ce modele de tbh nous a aussi permis d'aborder une conception d'amplificateur de puissance optimise en temperature. Un amplificateur en bande x a ete concu et realise. Une analyse de stabilite a ete utilisee pour predire les problemes d'oscillations. Les mesures en boitier de cet amplificateur en petit signal et en puissance nous permettent de valider la methodologie de conception ainsi que le modele electrothermique utilise.