Contribution à la méthodologie d'intégration de l'environnement dans les PME-PMI : évaluations des performances environnementales
Auteur / Autrice : | Marion Personne |
Direction : | Christian Brodhag |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Environnement |
Date : | Soutenance en 1998 |
Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale de Chimie (Lyon ; 1995-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : LAEPSI - Laboratoire d'Analyse Environnementale des Procédés et Systèmes Industriels (Lyon, INSA1995-2007) |
autre partenaire : École nationale supérieure des mines (Saint-Etienne ; 1816-....) | |
Jury : | Examinateurs / Examinatrices : Nazli Choucri, Sylvie Faucheux, Michel Garnier, Pierre Moszkowicz, Alain Navarro |
Rapporteurs / Rapporteuses : Nazli Choucri, Sylvie Faucheux |
Mots clés
Résumé
Ce travail porte sur l'étude des propriétés électro-optiques du nitrure de gallium (GaN) qui est, à l'heure actuelle, le matériau le plus prometteur pour la réalisation d'émetteurs de lumière bleue à l'état solide. Le matériau, sous forme de couches épitaxiées sur différents substrats à forts désaccords paramétriques, est caractérisé dans ses deux phases cristallines: wurtzite et blende de zinc. Dans une première partie, nous étudions les propriétés optiques intrinsèques du matériau par photoluminescence et photoréflectivité. Nous observons l'évolution des énergies de recombinaison des excitons avec l'état de contrainte résiduelle et la température, dans chacun des deux polytypes. L'effet d'un fort dopage sur les transitions bord de bande est montré. En particulier, nous mettons en évidence un phénomène d'auto-compensation dans les échantillons fortement dopés au silicium. En deuxième partie, nous étudions les transitions de photoluminescence liées aux défauts que nous corrélons aux conditions de croissance ou au dopage. Dans les couches non dopées ou dopées au magnésium, nous montrons les similitudes existant entre les bandes profondes de luminescence dans GaN cubique et celles observées dans GaN hexagonal. A partir de ces éléments nous analysons l'électroluminescence de jonctions p n dans chacun des deux polytypes. Le troisième volet est consacré à l'étude des caractéristiques électriques de diodes Schottky et de jonctions p n sur GaN de structure hexagonale. Nous analysons les mécanismes de conduction du courant, et mettons en évidence plusieurs niveaux de défauts profonds dans la bande interdite du GaN, intervenant dans les mécanismes de recombinaisons radiatives. L'ensemble de ces résultats permet de mieux appréhender les mécanismes de conduction électrique et de recombinaisons radiatives dans les dispositifs optoélectroniques à base de GaN, et de prévoir l'effet des conditions de dépôt du matériau sur les performances des dispositifs.