Synthese et caracterisation physique d'un oligomere de phenylene vinylene a 5 noyaux phenyles. Realisation et caracterisation de diodes a base d'oligomere : role des contacts metalpolymere, comparaison avec les diodes a base de poly(p-phenylene vinylene)

Synthesis and physical characterisation of a phenyl-vinyl oligomer with 5 phenyl units. Realisation and electrical characterisation of oligomer based diodes : metal oligomer contact, comparison with poly(p-phenylene vinylene) based diodes

• Auteur / Autrice : Philippe Le Rendu
• Direction : PHILIPPE MOLINIE
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1997
• Etablissement(s) : Nantes

Résumé

Dans ce travail, nous avons etudie les caracteristiques des diodes a base d'un oligomere du poly(p-phenylene vinylene). Dans la premiere partie, nous presentons la synthese de l'oligomere comprenant un enchainement de 5 phenyles et 4 vinyles (4pv), les films ont ete caracterises par des mesures optiques (infrarouge, raman, uv-visible) et de surface (xps). La comparaison avec les films de poly(p-phenylene vinylene) (ppv) a necessite des investigations du processus de conversion du precurseur. Les conditions de la transformation (2 heures a 190-250c suivant le monomere) sont obtenues par des mesures de resonance paramagnetique electronique et de spectroscopie de photoelectrons x. Cette etude permet de constater que la contamination par l'oxygene des films de 4pv est plus faible que celle du polymere. Ensuite nous etudions les proprietes electriques des diodes formees a partir de cet oligomere et d'electrodes de chrome ou d'aluminium. Les diodes symetriques (cr-4pv-cr) montrent un effet de redressement qui peut etre attribue au contact a l'interface metal-oligomere et correspond a un mecanisme de type schottky. Les differentes structures montrent deux domaines de conduction : a haute temperature la conduction se fait essentiellement par un mecanisme de type poole-frenkel (energie d'activation 1,9 ev), tandis qu'a basse temperature apparait une conduction par sauts mettant en jeu une energie de l'ordre de 0,1 ev. L'etude des courants thermostimules montre l'existence de pieges profonds (0,42 ev) dans le materiau. L'etude de l'interface metal oligomere par spectroscopie xps montre qu'il existe probablement une reaction entre l'oligomere et le metal lors du depot des electrodes. Le 4pv apparait comme un bon candidat potentiel pour l'elaboration de diodes electroluminescentes a base de composes organiques.