Contribution à l'étude des propriétés de transport électronique des alliages liquides de gallium à diagramme de phase métastable et à lacune de miscibilité : au-ga, ga-in, ga-sn, cd-ga et ga-hg

Contribution of the study of the electronic properties of metallic alloys of gallium which exhibits a mtastable phase and miscibility gap : AU-GA, GA-IN, GA-SN, CD-GA and GA-HG

• Auteur / Autrice : Abdelilah Yazi
• Direction : Jean-Georges Gasser
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Génie physique et mécanique
• Date : Soutenance en 1997
• Etablissement(s) : Metz

Mots clés

Mots clés contrôlés

Résistance électrique

Alliages liquides

Résumé

Ce travail a été consacré à l'étude expérimentale des propriétés de transport électronique des alliages liquides de gallium à diagramme de phase métastable (Ga-In et Ga-Sn) et à lacune de miscibilité (Cd-Ga et Ga-Hg). Les mesures de résistivité électrique ont été effectuées dans le domaine au dessous du liquide stable des alliages qui présentent un eutectique simple (Ga-In et Ga-Sn). Nous avons mis en évidence des anomalies du coefficient de température de la résistivité de l'alliage Ga50Hg50 qui peuvent être attribués à la manifestation des fluctuations de concentration reliées au facteur de structure concentration-cencentration de Bhatia-Thorriton à q=0. Ce travail nous a permis d'apporter un grand nombre de résusltats expérimentaux originaux. L'intéprétation des mesures a été faite dans le cadre de la théorie de Faber-Ziman étendue au formalisme de la matrice t construite à partir des déphasages en fonction de l'énergie. L'ensemble de calcul ont été effectués en utilisant deux approches pour calculer l'énergie d'échange : la méthode de Slater et celle de Kohn-Sham

The aim of this thesis was to study the electronic transport properties of metallic alloys of gallium which exhibits a metastable phase (Ga-In and Ga-Sn) and a miscibility gap (Cd-Ga and Ga-Hg). We have measured the electrical resistivity of Ga-In and Ga-Sn liquid alloys. We have also display the anomaly of the temperature coefficient of resistivity of Ga50Hg50 critical alloy which can be attribuated at the manifestation of concentration fluctuations Scc(0). These measurements permit us to bring important original results. The experimental values have been interpreted and discussed in a t matrix formulation of Ziman's nearly-free-electron theory. The t-matrix is expressed in term of phase shifts computed by using a suitable muffin-tin potential calculated with Slater and Kohn-Sham appraoches in the determination of the exchange energy