Recherche Avancée

Thèse soutenue

Siliciuration par depot en phase vapeur pour les technologies cmos avancees : tisi#2 selectif et drain/source sureleves

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Auteur / Autrice : Delphine Maury
Direction : Jean-Claude Portal
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Matériaux, technologies et composants pour l'électronique
Date : Soutenance en 1997
Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Résumé

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Avec la miniaturisation des circuits integres, certaines etapes technologiques deviennent de plus en plus delicates a realiser et en particulier l'etape de siliciuration, c'est a dire la metallisation des contacts source/drain et grille. La technique la plus couramment utilisee aujourd'hui est appelee salicide (self-aligned silicide): un film de tisi#2 est obtenu par reaction directe d'un film de titane (depose par pulverisation) avec le silicium du substrat. Elle presente cependant de serieuses limitations pour les technologies inferieures a 0,35 m. Nous avons pour cette raison etudie trois solutions nouvelles. La specificite des deux premieres solutions est d'introduire une epitaxie en phase vapeur (cvd) selective avant ou apres l'implantation des drain/source (avant le salicide). La troisieme consiste a realiser un depot cvd selectif de tisi#2. En vue d'introduire ces solutions dans des cmos, la mise au point des procedes d'epitaxie et de tisi#2 cvd etait necessaire. Nous avons donc analyse l'influence des principaux parametres experimentaux sur les vitesses de croissance et caracterise physiquement les couches obtenues. La selectivite et l'effet de la couverture d'oxyde de la plaque sur le taux de croissance ont ete etudies. Finalement, les resultats electriques concernant l'integration des procedes avances dans des cmos 0,35-0,25 m ont montre la faisabilite de ces techniques: ces resultats, comparativement a ceux obtenus avec la technique standard salicide, se sont averes tres prometteurs avec des ameliorations sur plusieurs parametres