Auteur / Autrice : | Caroline Guilhalmenc |
Direction : | Sorin Cristoloveanu |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Microélectronique |
Date : | Soutenance en 1997 |
Etablissement(s) : | Grenoble INPG |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale de l’INPG |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....) - Département d'électronique et d'instrumentation nucléaire (Saclay) |
Jury : | Président / Présidente : Pierre Gentil |
Examinateurs / Examinatrices : André-Jacques Auberton-Hervé, Hubert Moriceau | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Yannis Stoemenos, Bernard Pichaud |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Les matériaux silicium-sur-isolant (SOI) présentent de nombreux avantages pour la production de nouvelles générations de circuits intégrés fonctionnant à très basses tensions. Ils constituent désormais l’une des voies principales de recherche dans le domaine de la micro-électronique à très grande densité d’intégration. Pour cela, il est nécessaire de mettre au point des technique permettant d’obtenir des matériaux SOI de bonne qualité, capables de rivaliser avec le silicium massif. Les mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de deux types de substrats SOI, SIMOX Faible Dose et UNIBOND® (obtenus respectivement par les techniques SIMOX et Smart-Cut®), ont été étudiés. Après implantation de faibles doses d’oxygène (technique SIMOX), la formation de couches enterrées d’oxydes au cours du recuit à haute température a été appréhendée. L’étude des mécanismes de croissance et de coalescence des précipités d’oxydes à haute température a permis d’améliorer la qualité diélectrique des couches enterrées de silice. Enfin, une étude systématique des défauts (dislocations, fautes d’empilement) et des propriétés électriques des films de silicium de ces deux matériaux, a été menée par différentes techniques de caractérisation. Elle constitue la première synthèse comparative des qualités de ces matériaux SOI, qui présentent actuellement un fort potentiel pour la réalisation de circuits intégrés très performants