Recherche Avancée

Thèse soutenue

Etude de la dégradation des paramètres de bruit de composants soumis à des surcharges micro-ondes : réalisation d'un banc de caractérisation automatique

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Auteur / Autrice : Christophe Chabbert
Direction : Jean-Claude Mollier
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique
Date : Soutenance en 1997
Etablissement(s) : Toulouse, ENSAE

Résumé

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Cette étude traite de la dégradation des caractéristiques électriques de transistors faible bruit soumis à des surcharges micro-ondes et en particulier de la dégradation des paramètres de bruit. Nous avons mis en place à l'ONERA / DEMR un banc test automatique assurant l'application de la contrainte hyperfréquence et la caractérisation systématique des paramètres statiques, dynamiques et en bruit. Les études ont montré que la dégradation des transistors était accompagnée d'une dégradation du courant de grille. Il existe une corrélation netre la dégradation des paramètres dynamiques et celle du courant de grille. Dans l'ordre des énergies croissantes, on observe d'abord la dégradation des caractériqtiques de bruit avant la dégradation en gain. Nous avons mis en évidence deux phases de dégradation bien distinctes et caractérisées par des origines très différentes. La première se caractérise par une augmentation du facteur de bruit minimum de 2 dB et une variation très faible du gain. La seconde correspond à une augmentation de 4 dB du Fmin et une dégradation du gain de 2 dB. Nous avons dévellopé un modèle rendant compte de tous les états du transistor en bruit et en gain. Ce modèle montre que la phase de faible dégradation se caractérise par le bruit généré uniquement par la jonction Schottky dégradée. Ce même modèle ne peut pas rendre compte de la phase de forte dégradation. En effet, on associe une partie du courant de grille à une conduction parasite supplémentaire. Pour rendre compte de la dégradation, nous avons déterminé les variations des paramètres du schéma équivalent en fonction du courant de grille.