Silicium amorphe poreux formation des pores et proprieteoptiques
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Auteur / Autrice : | Ralf B. Wehrspohn |
Direction : | Ionel Solomon, Gottfried Heinrich Bauer |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1997 |
Etablissement(s) : | Palaiseau, Ecole polytechnique |
Jury : | Président / Présidente : Ionel Solomon |
Examinateurs / Examinatrices : Jean-Noël Chazalviel, Martin Stutzmann | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Philippe Allongue, Karl-Heinz Maier |
Mots clés
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Mots clés contrôlés
Résumé
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On a montre qu'il est possible de fabriquer du silicium poreux a partir du silicium amorphe hydrogene, bien que l'epaisseur maximale que l'on puisse obtenir soit severement limitee par une instabilite due a la haute resistivite du silicium amorphe. Nous avons aussi montre que le phenomene de luminescence intense dans le silicium poreux amorphe et cristallin est du au confinement spatial des paires electron-trou. Dans le silicium cristallin poreux, l'energie de la photoluminescence est decalee vers les hautes energies par des effets quantiques alors que dans le silicium amorphe poreux, les porteurs sont deja localises par le desordre et aucun effet quantique avec la taille ne peut etre observe.