Thèse soutenue

Cartographies d'absorption et de diffusion de couches minces optiques : bilan des pertes interfaces - volume , corrélation défauts locaux - endommagement laser
FR  |  
EN
Accès à la thèse
Auteur / Autrice : Ludovic Escoubas
Direction : Mireille Commandré
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Optique, électronique, optronique et systèmes
Date : Soutenance en 1997
Etablissement(s) : Aix-Marseille 3

Mots clés

FR

Mots clés contrôlés

Résumé

FR

Un dispositif de cartographie simultanee d'absorption et de diffusion des traitements en couches minces est mis au point. La mesure de l'absorption utilise la deflexion photothermique et, afin de faciliter l'etude des multicouches, fonctionne dans les trois configurations classiques du faisceau sonde (colineaire, transverse, en reflexion). Cet appareillage permet la mesure du facteur d'absorption en fonction de l'angle d'incidence, de la polarisation et de la longueur d'onde. Apres une etude bibliographique precisant la composition et les proprietes optiques de nos substrats, nous etudions l'effet du rayonnement de courtes longueurs d'onde sur leur absorption. Nous nous interessons a la photosensibilite aux uv des verres multicomposants, qui induit une augmentation de leur absorption dans le visible (solarisation). Nous demontrons ensuite que le rayonnement emis pendant un depot (rayonnement de bremsstrahlung) provoque par solarisation l'augmentation de l'absorption des substrats de verre. Une nouvelle methode de mesure en eclairage face avant puis face arriere nous permet de faire le bilan d'absorption dans l'epaisseur des composants. Cette methode est appliquee a la caracterisation des pertes dans les verres multicomposants traites. De fortes absorptions aux interfaces et dans le substrat de verre sont ainsi mises en evidence. Des mesures d'attenuation de modes a la propagation guidee confirment et precisent ce bilan d'absorption. La correlation defauts locaux - endommagement laser est etudiee par cartographies successives de la meme zone rendues possibles par un repositionnement au micron des echantillons. Les effets sur l'absorption et la diffusion d'une irradiation au seuil d'endommagement du composant sont presentes. Par ailleurs, des cartographies a resolution spatiale croissante (jusqu'a 10 m) nous ont permis de mettre en evidence les faibles dimensions des defauts.