Realisation de guides d'ondes optiques par depots photochimiques de multicouches dielectriques sur inp

• Auteur / Autrice : ABDELJALIL SAYAH
• Direction : Alain L'Hoir
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

Le developpement des techniques de depot photochimiques par irradiation ir ou uv permettent le depot sur inp de films dielectriques a base de silicium (sio si n, sio n). Ces films dielectriques sont realises avec un bilan thermique reduit et ont d'excellentes proprietes optiques et structurales. Leurs qualites ont ete utilisees pour la realisation de multicouches dielectriques permettant la fabrication de composants passifs directement sur inp. Deux types de guide optique ont ete realises sur inp : 1) le guide conventionnel est constitue d'un empilement sio /sion/sio l'obstacle a cette realisation est celui des contraintes engendrees sur le substrat qui conduisent a la deformation de la structure. L'etude des contraintes developpees par chacun des films de la structure a permis de calculer et de realiser une structure guidante sur inp. Les performances de ce guide restent toutefois degradees par les tensions residuelles subsistant sur cet empilement. Sur silicium, d'excellentes caracteristiques d'attenuation sont obtenues avec ce type guide sans utilisation de recuit thermique supplementaire (1,5 db/cm a 1,52 m), ce qui est une demonstration de qualite de ces materiaux dielectriques. 2) le guide arrow est constitue d'un empilement sio /si/sio et utilise les proprietes d'anti-resonance de bragg. L'introduction d'une couche mince de si permet la compensation de la contrainte introduite sur inp par la couche epaisse de sio. Le guide ainsi realise possede une attenuation de l'ordre de 1,2 db/cm a 1,52 m sur inp.