Etude optique de la structure electronique de superreseaux gainas/algainas soumis a un champ electrique
Auteur / Autrice : | GUIYING WANG |
Direction : | P. TRONC |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1996 |
Etablissement(s) : | Paris 7 |
Résumé
Nous avons effectue, sur des superreseaux gainas/algainas accordes en maille avec des substrats inp, des mesures de photoluminescence, photocourant, photocourant-voltage et photoluminescence-excitation. Nous avons mis en evidence les echelles de wannier-stark relatives aux etats 1s et 2s de l'exciton lourd, permettant ainsi une determination precise de son rydberg, ainsi que les echelles relatives au trou leger et a l'etat excite du trou lourd. Cette derniere transition est permise par le champ electrique qui brise la symetrie miroir du potentiel du superreseau. Les mesures de photoluminescence ont mis en evidence, a basse temperature, le piegeage des excitons sur les rugosites d'interface avec une energie moyenne de 3,1 mev. La photoluminescence a mis en evidence deux autres caracteristiques. D'une part des fluctuations de l'energie de la transition optique fondamentale ; cet effet est important et peut etre represente par une distribution gaussienne avec un ecart type de 6 mev. D'autre part des variations importantes de rendement radiatif avec la temperature et la longueur d'onde d'excitation ; cet effet a ete rapproche d'une propriete generalement admise des atomes d'aluminium d'induire des centres de recombinaison non radiative. En conclusion les superreseaux etudies, malgre la complexite des alliages qui les constituent (alliage ternaire dans les puits, quaternaire dans les barrieres), presentent des structures electroniques fines