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Thèse soutenue

Mesure des indices de réfraction de seminconducteurs III-V en structure guide d'onde

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Auteur / Autrice : Patrick Martin
Direction : Claude Alibert
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique, optronique et systèmes
Date : Soutenance en 1996
Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Puits quantiques
Guides d'ondes optiques
Réseaux de diffraction
Réfractométrie
Antimoine -- Composés
Indium -- Composés
Propriétés optiques
Composés semiconducteurs

Résumé

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L'optimisation des composants opto-electroniques impose une connaissance precise de l'indice optique des materiaux semiconducteurs mis en jeu. Dans cet objectif un banc de mesure d'indice base sur les proprietes des coupleurs a reseau et des structures en guide d'onde a ete relise. Les mesures sur des echantillons de differents dopages ont permis de determiner a la fois la dispersion spectrale de l'indice de refraction de l'inp entre 1300 et 1600 nm, le coefficient thermo-refractif et la contribution du dopage. Les resultats ont ete correles avec satisfaction a des modeles physiques. L'indice de gainasp a ete mesure a partir de structures guidantes sur inp. Une modelisation a montre que la birefringence de forme pouvait etre reduite par un choix optimise de la geometrie. L'etude de guides formes de multi-puits quantiques gainas/inp a permis de determiner l'indice de refraction de puits isoles, ou les regles de selection optiques sont mises en evidence par la birefringence intrinseque. L'indice de gainassb et gasb a ete mesure au voisinage de 2000 nm. Ces nouveaux resultats en desaccord avec les valeurs usuelles de la litterature montrent la meconnaissance de l'indice de refraction de cette famille de materiaux. L'ensemble des resultats apportent une meilleure connaissance de l'indice de refraction des semiconducteurs iii-v etudies