Le carbone 60 : de l'origine de ses propriétés élctroniques et optiques à son comportement sous faisceaux d'ions
Auteur / Autrice : | Patrick Trouillas |
Direction : | André Moliton |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences des matériaux céramiques et traitements de surface |
Date : | Soutenance en 1996 |
Etablissement(s) : | Limoges |
Résumé
Le dopage chimique du c#6#0 solide avec des atomes alcalins, comme le potassium, par exemple, cree une phase k#3c#6#0 metallique et supraconductrice en-dessous de 19 k. L'implantation ionique est une technique de dopage que nous avons essayee sur ce nouveau materiau. Tout d'abord, c'est la structure electronique du c#6#0 solide qui est depouillee ; ensuite ce sont les transferts d'energie de l'ion implante vers le materiau cible qui sont abordes ; pour terminer, les phenomenes de percolation et certains mecanismes de transport electrique sont passes en revue. La caracterisation electrique et spectroscopique des couches minces de c#6#0 implantees a permis de mettre en evidence une competition entre des effets de degradation de la structure moleculaire, et un effet de dopage par transfert de charges des atomes de potassium (implantes avec une energie de 30 kev). Il semble que le premier processus soit predominant pour des fortes fluences d'ions potassium (superieures a 10#1#5 ions/cm#2) ; le deuxieme processus, quant a lui, est dominant lorsque la fluence est suffisamment faible (inferieure a 10#1#5 ions/cm#2). Des implantations ioniques de potassium ont finalement ete effectuees a 30 kev, avec des fluences tres faibles (inferieures a 10#1#2 ions/cm#2), sur des structures de transistors a effets de champ a base de c#6#0 ; ces implantations visant a augmenter la mobilite d'effet de champ, ce sont les evolutions de ce dernier parametre que nous avons etudiees en fonction de la fluence d'ions implantes