Hétérostructures Si/Si1-xGex : étude et intégration dans des technologies BiCMOS et CMOS avancées

Si/Si1-xGex HETEROSTRUCTURES: STUDY AND INTEGRATION IN ADVANCED BICMOS AND CMOS TECHNOLOGIES

• Auteur / Autrice : Sylvie Bodnar
• Direction : Jean-Claude Portal
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Matériaux, technologies et composants pour l'électronique
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Résumé

Deux des applications les plus interessantes du systeme silicium-germanium sont le transistor bipolaire et le transistor cmos dont les performances sont augmentees en epitaxiant respectivement une base si/sige et un canal enterre si et/ou sige. En vue de ces applications, nous avons caracterise l'epitaxie en phase vapeur non selective de films de si et sige, dopes ou non. Puis, nous avons developpe l'epitaxie selective de ces deux materiaux en etudiant l'influence des conditions experimentales, l'effet de la couverture d'oxyde du substrat sur le taux de croissance et l'incorporation du ge, ainsi que la formation des facettes. Les resultats electriques concernant l'integration de l'epitaxie selective dans une filiere standard bicmos 0,5 m et dans des transistors pmos 0,18 m a canal enterre se sont averes prometteurs. Finalement, nous avons elargi le systeme si-ge en introduisant le carbone comme compensateur de la contrainte compressive liee au ge