Etude femtoseconde de la thermalisation des porteurs libres dans l'arseniure de gallium
Auteur / Autrice : | Pierre Langot |
Direction : | Fabrice Vallée |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1996 |
Etablissement(s) : | Palaiseau, Ecole polytechnique |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Ce travail porte sur l'etude des interactions porteur-porteur et porteur-phonon dans l'arseniure de gallium par des techniques pompe-sonde de saturation d'absorption femtoseconde a haute sensibilite. Pour cela, une source femtoseconde a deux couleurs a ete developpee par conversion de frequence non-lineaire des impulsions fournies par un oscillateur femtoseconde a saphir dope titane. Nous avons tout d'abord etudie les mecanismes d'interaction des trous libres dans l'asga. Les mesures realisees sur l'echauffement de trous froids en fonction de la densite de porteurs photo-generes, de leur exces d'energie initial et de la temperature du reseau nous ont permis de mesurer directement le temps d'interaction trou-phonon et d'en deduire le potentiel de deformation optique. Une etude sur le ralentissement de la thermalisation electron-reseau du a la creation d'une population de phonons hors equilibre en centre de zone de brillouin est ensuite presentee. Les differentes mesures que nous avons realisees nous ont permis de demontrer que la thermalisation electrons-reseau aux temps longs est gouvernee par la duree de vie des phonons optiques, en accord avec un modele de simulations numeriques