Recherche Avancée

Thèse soutenue

Le système Sb-Si sur Si(111) fortement désorienté : croissance, intéraction et dopage

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Auteur / Autrice : Marielle Ladeveze
Direction : François Arnaud d'Avitaya
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences des matériaux
Date : Soutenance en 1996
Etablissement(s) : Aix-Marseille 2
Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université d'Aix-Marseille II. Faculté des sciences (1969-2011)

Résumé

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Cette etude met en evidence plusieurs aspects, jusqu'a nos jours non explores, de l'influence de la desorientation du substrat sur l'epitaxie par jets moleculaires silicium. L'orientation utilisee correspond a une surface de silicium (111) desorientee de 10 autour de la direction 1-10 vers la direction -1-12. Nous montrons d'abord comment une telle surface evolue pendant la croissance de silicium. Nous analysons ensuite l'interaction de l'antimoine (dopant du silicium) avec cette surface. Enfin, nous etudions le dopage de silicium par l'antimoine lors d'un codepot silicium-antimoine. La surface de silicium, initialement organisee suivant un arrangement regulier de marches de hauteur triatomique, devient rugueuse pendant la croissance. Cette rugosite peut s'expliquer par une frequence de vibration plus elevee pour les adatomes descendant les marches. Grace a des experiences de thermodesorption, menees par spectroscopie d'electrons auger et par spectrometrie de masse, couplees a des calculs de dynamique moleculaire, nous mettons en evidence des etats d'adsorption de l'antimoine differents sur les marches et sur les terrasses. Enfin, nous montrons que la presence de l'antimoine pendant la croissance modifie la morphologie de la surface desorientee. Quant au dopage, la difference d'incorporation entre une surface nominale et une surface desorientee que nous observons peut s'interpreter par la prise en compte simultanee des comportements de segregation et de desorption de l'antimoine a la surface de silicium en presence de marches