Cao des lignes sur silicium : simulation des interconnexions et des lignes de transmission planaires a pertes dielectriques et metalliques

Cad for lines on silicon substrate: simulation of interconnections and planar transmission lines including dielectric and metal losses

• Auteur / Autrice : BARDO MULLER
• Direction : Robert Adde
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1995
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

Nous presentons un outil de modelisation adapte a la cao des circuits integres silicium microondes ou gigabits. Il prend en compte, dans l'approximation quasi-tem, les pertes dans le substrat et les pertes metalliques des lignes avec ou sans effet de peau. Il traite de facon efficace les effets de propagation et de couplage, lorsque les lignes sont associees a des generateurs et des recepteurs ayant un comportement tres fortement non lineaire. Le memoire comprend quatre chapitres: les deux premiers chapitres synthetisent l'influence croissante des interconnexions sur silicium et les problemes physiques a prendre en compte. Le troisieme chapitre presente la conception du logiciel admit qui decrit la dependance frequentielle des parametres lineiques de facon tres compacte, par des fonctions de transfert et par des circuits equivalents compatibles avec la syntaxe du simulateur de circuit spice. Le quatrieme chapitre presente la validation du logiciel admit sur des resultats utilisant des modelisations de type statique ou full wave et des mesures experimentales. La discussion des resultats obtenus dans le domaine frequentiel et temporel permet de situer les domaines d'application de cette modelisation dans les circuits denses et rapides