Caracterisation et modelisation du courant de fuite d'un laser ingaasp/inp a ruban enterre
Auteur / Autrice : | ANTOINE GUICHARDON |
Direction : | F. Meyer |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1995 |
Etablissement(s) : | Paris 11 |
Résumé
Cette these expose une analyse electrique des composants laser a semi-conducteur basee sur le calcul a 2d de la repartition du courant dans la structure a l'aide d'un outil de resolution numerique par elements finis. La modelisation du composant a partir de la description de la structure reelle s'appuie sur l'etude prealable des differentes regions elementaires caracterisees et modelisees independamment. Cette approche est appliquee au laser ingaasp/inp brs dans le cadre de l'optimisation de ses performances statiques. Des caracterisations i(v) sont tout d'abord effectuees sur des diodes test permettant de mesurer le courant a travers la jonction p-n, la region implantee par des protons et la couche active de la structure. Leurs caracteristiques sont etudiees et modelisees par le logiciel de simulation 2d dans le modele de derive/diffusion. Le courant total du composant est calcule en prenant en compte globalement la modelisation des differentes regions. L'analyse debouche sur un modele electrique du fonctionnement du laser en regime d'impulsion, permettant une interpretation des caracteristiques i(v) et p(i) en impulsion. Le courant de fuite est localise et evalue en fonction du courant total a la temperature constante de 20c. Le role de l'interface entre les regions implantees et non implantees est mis en evidence au niveau du courant de seuil et celui de la jonction p-n au niveau de la limitation de la puissance