Recherche Avancée

Thèse soutenue

Etude des proprietes optiques et electroniques des surfaces du silicium (hydrogenation) et de l'interface silicium/metal monovalent (k,ag), par reflectometrie differentielle spectroscopique

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Auteur / Autrice : MATHIEU ROY
Direction : Yves Borensztein
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 1995
Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

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La reponse optique des surfaces si(111)-7x7 et si(100) ainsi que l'adsorption de potassium sur la surface si(100) et d'argent sur ces deux surfaces ont ete etudiees par reflectometrie differentielle spectroscopique. L'hydrogenation de la surface si(111)-7x7 a permis de determiner la signature optique des differents etats de surface et de caracteriser en detail le processus d'adsorption d'hydrogene atomique sur cette surface. Les resultats concernant la surface si(100) semblent faire apparaitre un effet de symetrisation des dimeres. Les resultats obtenus pour l'interface k/si(100) font apparaitre deux etats d'equilibre lors du processus d'adsorption: un equilibre dynamique correspondant a la formation d'amas 3d de k en cours d'evaporation, et un equilibre statique lie a la disparition de ces amas apres l'arret de l'evaporation. Cet equilibre statique intervient pour une monocouche de saturation (mcs). Une transition de phase apparait a 0,36 mcs dans le processus d'adsorption de k alors que pour 1 mcs, la presence d'une resonance de plasma dans la couche d'alcalin deposee traduit le caractere metallique de l'interface. Des resonances de plasma dans des couches minces de potassium deposees a froid ont egalement ete mises en evidence. Les principaux resultats obtenus pour l'interface ag/si sont la caracterisation d'une croissance couche par couche de l'argent a basse temperature d'une part, la mise en evidence du seuil d'apparition et de la dispersion lineaire de la resonance de plasma dans des couches minces d'ag d'autre part et enfin, une transition semiconductrice/metallique de l'interface