Thèse soutenue

Etude des mecanismes reactionnels lors de la croissance par epvom de materiaux semiconducteurs ii-vi : cas particulier des couches minces de znte et zn#1#-#xmg#xte

FR
Auteur / Autrice : BRUNO QU'HEN
Direction : Ouri Gorochov
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 1995
Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

FR

La premiere partie de ce travail est consacree a la description generale du processus de croissance par epitaxie en phase vapeur a partir d'organo-metalliques (epvom) en developpant notamment les differentes approches possibles du probleme: thermodynamique, hydrodynamique et cinetique. La partie experimentale s'articule autour de deux axes: le premier abordant les cinetiques de decomposition des reactifs organometalliques dans un reacteur isotherme, la deuxieme traitant des problemes de croissance des couches minces de znte et de zn#1#-#xmg#xte obtenues dans un reacteur epvom classique a geometrie verticale. La correlation entre cinetiques de decomposition des reactifs organometalliques et cinetiques de croissance des couches a mis en evidence les regimes principaux controlant la croissance: regime de diffusion a haute temperature lie au transport des especes reactives jusque la zone de croissance et regime chimique a basse temperature lie aux reactions chimiques de surface du solide entre especes adsorbees. Les investigations cinetiques dans le reacteur isotherme ont ete menees par analyse de la phase gazeuse a l'aide d'un spectrometre de masse. La caracterisation de couches minces par diffraction des rayons x (proprietes cristallographiques) et par spectroscopie de photoluminescence (proprietes electroniques et optiques) a permis d'etablir une incidence directe du choix des conditions de croissance sur l'incorporation d'impuretes etrangeres. La volonte d'une croissance a basse temperature nous a amene a comparer les resultats obtenus pour plusieurs couples de precurseurs organometalliques et de suivre l'influence de la photo-epitaxie sur la croissance