Etudes des mecanismes de formation des defauts de type v dans les iodures alcalins irradies aux ions lourds

Studies of the mechanisms of formation of v-type defects in alkali iodides bombarded with heavy ions

• Auteur / Autrice : MARC ANTOINE PARISELLE
• Direction : Serge Lefrant
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1995
• Etablissement(s) : Nantes

Résumé

Dans ce travail, nous presentons l'etude de la formation de defauts de type v dans les iodures alcalins irradies aux ions lourds. L'etude de ces defauts dans les halogenures alcalins soumis a des irradiations a faible depot d'energie (rayons x, photons, ) ou colores par addition d'un element halogene etant bien connue, nous nous sommes interesse a l'irradiation aux ions lourds dont la particularite reside dans les excitations electroniques tres denses. Si les defauts crees sont bien connus, les processus fondamentaux gouvernant l'endommagement des halogenures alcalins restent mal connus. Pour mieux comprendre ces processus, nous avons etudie la formation des defauts dans des cristaux de iodure de potassium (ki) et de iodure de rubidium (rbi) ainsi que dans des cristaux mixtes (k#0#,#4rb#0#,#1i#0#,#5) a differentes temperatures (300 k, 200 k, 100 k et 20 k) par des mesures d'absorption optique in situ en cour d'irradiation. Apres l'irradiation, les echantillons ont ete recuits par la methode du recuit isochrone. Ces mesures permettent de suivre l'evolution des defauts crees aux basses temperatures et ainsi de suivre les processus de recombinaison et d'agregation des defauts interstitiels crees. Par une analyse comprehensive des resultats et par comparaison aux irradiations aux rayons x, il est possible d'obtenir des precisions sur les mecanismes de depots d'energie des ions lourds dans ces cristaux. Les mesures d'absorption optique ne permettant qu'une analyse globale des echantillons, il nous a semble important d'effectuer des mesures transversales en suivant le trajet des ions dans le materiau. Dans ce but, nous avons irradie des cristaux a la temperature de 300 k. Nous avons ensuite clive ces echantillons pour pouvoir faire des mesures de diffusion raman sur le profil meme du trajet de l'ion. Ces resultats permettent de mieux comprendre la correlation existant entre la formation des defauts, les processus d'agregation et le depot d'energie dans les cristaux irradies