Etude et modélisation du phénomène de burnout induit par ion lourd dans un MOSFET de puissance à canal-n

Study and modelisation of heavy ion induced burnout in n-channel power mosfets

• Auteur / Autrice : Charles Dachs
• Direction : Jean-Marie Palau
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique, optronique et systèmes
• Date : Soutenance en 1995
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Simulation, Méthodes de

Modèles mathématiques

Durcissement superficiel

Diodes à avalanche

Ions lourds

Matériaux -- Effets des rayonnements

Transistors bipolaires

Transistors de puissance

Technologie

Transistors MOSFET

Résumé

L'utilisation du mosfet de puissance dans les applications spatiales pose le probleme de sa sensibilite aux radiations. Cette technologie peut presenter des defaillances destructives de type seb (single event burnout) induites par le passage d'un ion lourd. La mise en place de technologies durcies capables de rester operationnelles dans l'environnement considere permettrait d'alleger considerablement les procedures appliquees aujourd'hui par les equipementiers europeens. C'est dans ce cadre que nous avons effectue les travaux qui sont presentes ici. Cette etude presente trois axes d'investigations. Le premier, indispensable au developpement des deux suivant, concerne la comprehension des mecanismes physiques impliques dans le declenchement du burnout. Pour cela, des moyens experimentaux et de simulation ont ete mis en uvre. Le second a pour but de determiner si les simulateurs de composant, dans l'etat actuel de leur developpement, sont capables de fournir une description quantitative precise du phenomene et en particulier de la section efficace du composant. Le dernier permet finalement la proposition de solution de durcissement