Etude de procédés technologiques pour le contrôle des propriétés de commutation des composants bipolaires de puissance

• Auteur / Autrice : Monique Bagneres Moisseron
• Direction : Danielle Bielle-Daspet
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1995
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors bipolaires

Téléphone -- Commutation électronique, Systèmes de

Silicium

Assemblages (technologie)

Électronique de puissance

Circuits de commutation

Résumé

Une des principales difficultes lors de la conception des structures bipolaires de puissance est le compromis entre les proprietes statiques et les performances dynamiques du composant. D'autres contraintes d'ordre technologiques et economiques sont a prendre en compte. Deux procedes technologiques ont ete developpes et caracterises au cours de ce travail. L'introduction de titane localisee a la surface du composant entraine une diminution de la duree de vie effective des porteurs dans la structure due a un controle des vitesses de recombinaison localisees. Cette technique presente bien le resultat escompte quant a la maitrise des temps de commutation (jusqu'a -40%) mais la degradation observee des tenues en tension a oriente nos etudes vers un second procede base sur la technique de soudure directe sur silicium. En effet, l'interface de collage presente dans le volume des substrats permet d'une part d'introduire de facon localisee des centres profonds et d'autre part de realiser des profils de dopage differents de ceux obtenus par la technique classique de l'epitaxie. La caracterisation de transistors bipolaires de test realises sur des substrats colles a mis en evidence les larges possibilites que presente cette technique de preparation de substrats quant a l'optimisation des structures bipolaires de puissance (-63% sur les temps de commutation a la fermeture des diodes realisees sur des substrats colles)