Application de l'ellipsometrie infrarouge a l'etude des proprietes vibrationnelles, de la croissance et des interfaces de couches minces

Application of infrared ellipsometry to the study of vibrational properties, growth and interfaces of thin films

• Auteur / Autrice : Razvigor Ossikovski
• Direction : Bernard Drévillon
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1995
• Etablissement(s) : Palaiseau, Ecole polytechnique

Résumé

L'objet de cette these est de montrer quelques-unes des nombreuses applications de l'ellipsometrie infrarouge spectroscopique en tant que technique de caracterisation des materiaux. Les bases de l'ellipsometrie, accompagnees par la description du dispositif experimental, sont exposees. Les proprietes vibrationnelles de couches minces de semiconducteurs (silicium amorphe hydrogene) et d'isolants (silice) ont ete etudiees in (ex) situ. Les etudes ont ete menees en fonction de deux parametres: l'epaisseur et la composition chimique des couches. Dans ce cadre, certains aspects de l'interaction plasma surface, ainsi que des proprietes optiques des materiaux dans l'infrarouge, ont ete traites. La symetrie chimique et structurelle des interfaces du silicium amorphe hydrogene et des materiaux apparentes a ete etudiee in situ. Ces recherches affirment l'ellipsometrie infrarouge comme un outil performant de caracterisation jusqu'au niveau monoatomique