La forme d'équilibre du silicium

Equilibrium shape of silicon

• Auteur / Autrice : Xavier Egéa
• Direction : Jean-Marie Bermond
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1995
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Photolithographie

Énergie de surface

Équilibre thermodynamique

Silicium

Résumé

Les techniques de photolithographie sur silicium et la microscopie electronique sous ultravide (u. H. V. T. E. M) ont rendu possible l'observation des evolutions, en fonction du temps et de la temperature, d'une colonne de silicium de taille h=10m et 1=5m formee dans un substrat de si(111). La colonne, une fois nettoyee et fortement evaporee, ovule et forme un bulbe. La dimension finale de ce bulbe est alors de 1m. Nous avons montre que l'apex de ce bulbe etait une forme stationnaire, c'est a dire, invariante dans le temps et de plus, independante de l'orientation du substrat. Il ressort de nos observations que la partie superieure du bulbe coincide bien avec la forme d'equilibre du silicium. La temperature a laquelle nous avons reussi cette mise a l'equilibre est de 1050c. Il s'agit de la seule temperature pour laquelle nous ayons clairement demontre la non contamination en surface du bulbe. Nos resultats experimentaux, faces planes presentes et diagramme des variations de l'energie libre specifique de surface sont compares a ceux donnes par la litterature. Les raisons d'eventuels desaccords sont discutees