Nitruration en post-decharge a basse pression de w, si et sio#2 pour la microelectronique

Low pressure post-discharge nitridation of w, si and sio#2 for microelectronics

• Auteur / Autrice : SHAHRAM KIANFAR
• Direction : Alain Bosseboeuf
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

Nous presentons dans cette these de la nitruration en post-decharge a basse pression de w, si et sio#2. Nous avons principalement etudie les cinetiques de nitruration en fonction des conditions de decharge, de la temperature et de la preparation de la surface par analyse auger in situ et nucleaire ex situ. Dans le cas du tungstene, la comparaison des resultats de ces deux analyses montre que la croissance n'est pas homogene et se deroule en deux etapes. Les cinetiques de croissance dependent peu de la preparation de la surface. Une augmentation de la temperature conduit a une nitruration moindre du tungstene. Le nitrure forme a temperature ambiante n'est pas stable thermiquement. Dans le cas du silicium une croissance homogene est obtenue et les cinetiques de nitruration dependent de l'orientation cristalline du substrat. Dans le cas de la silice, la nitruration depend fortement de la preparation chimique de la surface. Ceci est attribue a la quantite variable d'hydrogene a la surface. Dans tous les cas la nitruration observee est essentiellement due a l'azote atomique dont la concentration augmente lineairement avec le courant de decharge