Elaboration par E. P. V. O. M. D'un photodétecteur à Ga1-XInXSb et Ga1-XAsYSb1-Y pour télécommunications à plus de deux micromètres

Photodetectors based on ga#1#-#xin#xsb and ga#1#-#xin#xas#ysb#1-#y alloys elaborated by movpe for telecommunications above two micrometers

• Auteur / Autrice : Guy-Germain Allogho
• Direction : Georges Bougnot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique, optronique, systèmes
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Épitaxie

Antimoine -- Composés

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Propriétés optiques

Propriétés électriques

Composés organométalliques

Optique quantique

Lasers à semi-conducteur

Liaisons spécialisées (télécommunications)

Fibres optiques

Capteurs optiques

Résumé

Ce travail a pour but la realisation de detecteurs a base de galnassb pour telecommunications par fibres optiques fonctionnant a plus de 2 micrometres. Ce memoire presente d'abord la source laser utilisee pour une transmission optique a ces longueurs d'ondes. La methode d'elaboration (e. P. V. O. M. ) est presentee et les alliages iii v ternaires ga#1#-#xin#xsb et quaternaires ga#1#-#xin#xas#ysb#1#-#y ont ete epitaxtes par cette methode. Les performances des dispositifs ainsi obtenus sur gasb ont ete mises en evidence par des caracterisations optiques et electriques incluant une etude preliminaire du bruit du detecteur. Enfin, une ligne de transmission optique non fibree a ete realisee a 2,2 micrometres comportant une source laser a double heterostructure gaalassb/gainassb (emettant a 80k) et un detecteur a homojonction a gainassb fonctionnant a 300 k