Modélisation électrique des transistors à effet de champ pour la CAO des circuits microondes linéaires et non linéaires

Field effect transistor electrical modelling for linear and nonlinear microwave circuits cad purposes

• Auteur / Autrice : Joaquin Portilla Rubin
• Direction : Juan Obregon
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique, électrotechnique, optique
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Limoges
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors à effet de champ

Modèles mathématiques

Circuits pour microondes

Résumé

La modelisation electrique des transistors a effet de champ (fet, hemt) pour la cao des circuits lineaires et non lineaires constitue le theme essentiel de notre travail. La modelisation electrique des composants semi-conducteurs est aujourd'hui la solution adoptee pour la cao des circuits hyperfrequences. Differentes techniques de mesure et de modelisation doivent etre mises en uvre afin de prevoir le comportement des composants. La caracterisation impulsionnelle des sources de conduction et des parametres s est la methode experimentale la plus adequate. L'activite principale de la modelisation electrique consiste a obtenir une topologie de description des composants ainsi que des methodes d'extraction des elements qui soient efficaces et precises. Notre etude nous a permis de determiner un nouveau modele electrique faible signal des transistors a effet de champ qui constitue une representation plus intuitive de son comportement electrique. Ce nouveau schema equivalent permet de modeliser aussi les sources de bruit de diffusion. Une methode d'extraction du modele faible signal a ete mise au point permettant de respecter la coherence du modele complet et les conditions particulieres de fonctionnement. Une approche non lineaire, non quasi statique, permettant la conservation de la charge et elle aussi coherente avec les conditions de fonctionnement hyperfrequence du composant a effet de champ, a ete etablie a partir de mesures impulsionnelles. Nous evoquons en conclusion l'extension qui peut etre donnee aux travaux presentes en vue de l'obtention de modeles plus fiables pour la cao des circuits hyperfrequences