Propriétés de transport dans les alliages GaAs et AlxGa1-xAs (centre DX)

Transport properties in gaas and algaas alloys (dx centre)

• Auteur / Autrice : Udo Willke
• Direction : Jean-Claude Portal
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique et structure des solides
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Mots clés

Mots clés contrôlés

Hydrostatique

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Photoionisation

Théorie du transport

Résumé

Les proprietes du defaut metastable centre dx et de ses etats excites sont etudies par des mesures de magneto-transport sous pression hydrostatique sur les alliages gaas et al#xga#1#-#xas. Ainsi, une etude de caracterisation du donneur plomb dans gaas montre que cet element a essentiellement les memes proprietes que les autres elements utilises pour le dopage n de gaas, malgre une masse plus importante. En particulier, son energie et sa barriere de capture sont comparables a celles du donneur etain. Une autre etude de la photoconductivite persistante sous pression hydrostatique met en evidence l'existence de niveaux qui se trouvent en resonance avec la bande de conduction. Ces etats sont identifies, soit comme des niveaux de masse effective rattaches aux bandes l et x dans les cas des donneurs silicium et tellure, soit comme le niveau profond a#1 associe au donneur etain, caracterise par une energie de liaison plus grande. L'hypothese d'un etat profond est aussi confortee par une modelisation qui met en jeu un elargissement de ce niveau. Une troisieme etude, effectuee sur un echantillon al#xga#1#-#xas co-dope a l'etain et au silicium, met en evidence la capture de deux electrons sur le niveau de base du centre dx associe a l'etain dont l'occupation est determinee soit par une experience de capture soit par uneexperience de photoionisation selective