CaF2:Er épitaxié par jets moléculaires : propriétés optiques en relation avec les paramètres d'élaboration

Caf#2:er grown by molecular beam epitaxy: optical properties in relation to elaboration parameters

• Auteur / Autrice : Emmanuelle Daran
• Direction : C. FONTAINE
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Mots clés

Mots clés contrôlés

Couches minces

Propriétés optiques

Terres rares

Métaux des terres rares

Couches minces semiconductrices

Résumé

Cette etude porte sur l'elaboration et la caracterisation optique de couches minces de caf#2 dopees erbium epitaxiees sur des substrats de caf#2. Les concepts theoriques de la spectroscopie des ions terres-rares et l'etude des sites cristallographiques de ces ions dans la matrice caf#2 sont tout d'abord exposes ; le systeme d'epitaxie par jets moleculaires, les conditions de croissance des fluorures, le banc de caracterisation optique sont ensuite decrits. Dans un deuxieme temps, les resultats experimentaux sont developpes. L'identification des sites de l'ion er#3#+ dans nos couches minces ainsi que leur evolution en fonction des parametres d'elaboration sont considerees. Par la suite, sont etudiees l'emission a 1. 54 m d'interet pour les telecommunications optiques et l'emission antistokes a 550 nm. L'interet est porte plus particulierement sur l'effet de la concentration, mettant en relief les avantages de la technique d'elaboration qui permet l'incorporation d'une concentration en ions optiquement actifs superieure d'un a deux ordres de grandeur a celle obtenue dans le materiau massif. Les applications ouvertes a ces materiaux epitaxies sont discutees a partir de leurs proprietes optiques et des possibilites offertes par leur technique d'elaboration, en particulier la realisation de multicouches actives guides d'onde pompees par des diodes lasers a semiconducteurs