Thèse soutenue

Contribution à l'identification des paramètres technologies de la diode PIN de puissance à partir des caractéristiques de commutation à l'ouverture

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Auteur / Autrice : Chung-Chieh Lin
Direction : Hervé Morel
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique
Date : Soutenance en 1994
Etablissement(s) : Lyon, INSA
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : CEGELY - Centre de génie électrique de Lyon (Rhône ; 1992-2007)

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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L'utilisation d'un modèle de composant électronique réclame la connaissance des paramètres de ce modèle. Classiquement pour obtenir ces paramètres, la confrontation entre la simulation et l'expérience est utilisée. Il existe un standard industriel, IC-CAP, pour l'identification des paramètres d'un composant à semiconducteur (en microélectronique). Celui-ci permet la mesure de caractéristiques électriques d'une part, l'extraction et l'optimisation des paramètres pour les modèles SPICE d'autre part. En s'inspirant de ce système, nous avons développé un banc d'identification des paramètres pour les composants de puissance et pour la diode PIN de puissance en particulier. Nous avons utilisé les modèles de diode développés par le CEGELY (Centre de Génie Electrique de Lyon), qui utilisent des paramètres technologiques comme par exemple : la largeur et le dopage de la base, la durée de vie ambipolaire dans la base et la surface effective. En microélectronique, les caractéristiques mesurées sont des caractéristiques statiques et des capacités. Pour les composants de puissance, ces mesures ne sont pas assez sensibles à la durée de vie. En revanche, le courant et la tension pendant la phase de commutation à l'ouverture nous fournissent les informations suffisamment riches pour l'évaluation des principaux paramètres technologiques. Pour mesurer ces caractéristiques électriques à l'ouverture, nous avons utilisé une cellule de commutation avec une source de courant et une source de tension. Les sondes de courant et de tension contribuent pour une grande part aux erreurs de mesure. Toutefois, en utilisant la comparaison entre la simulation et l'expérience (sur le recouvrement inverse), deux méthodes d'optimisation se sont avérées satisfaisantes : la méthode du recuit simulé et la méthode de recherche dichotomique.